مشخصات
- وزن9.7 گرم
- سایر قابلیتهاقابلیت بهینه سازی عملکرد (TRIM) فناوری خود نظارت، تجزیه و تحلیل و گزارش (SMART) رمزگذاری داده ها (AES256/TCG OPAL2.0/Pyrite) قابلیت تصحیح خطا ابعاد: 80.00x22.00x2.15 میلیمتر دمای عملیاتی: 0-70 درجه سانتیگراد حداکثر میزان مقاومت در برابر شوک 1500G LDPC (Low Density Parity Check) ECC Algorithm End to End Data Path Protection APST (Autonomous Power State Transition) میانگین عمر 700 TBW
- کنترل کنندهPHISON E18
- سرعت نوشتن اطلاعات به صورت تصادفی700K (IOPS)
- سرعت خواندن اطلاعات به صورت تصادفی350K (IOPS)
- نوع رابط حافظهGen4x4, NVMe 1.4
- ظرفیتیک ترابایت
- حداکثر میزان مقاومت در برابر شوک1500G
- میانگین عمر1600000 ساعت
- نوع حافظه فلش3D NAND
- سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتیبی5500 MB/S
- سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتیبی7000 MB/S
- قابلیتهای مقاومتیمقاومت در برابر شوک و لرزش
دیدگاهها
هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.